[发明专利]半导体器件和栅极的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件和栅极的形成方法，所述半导体器件的形成方法中，在硬掩膜层上方的光刻胶层经图案化，形成光刻胶图案后，对光刻胶图案进行软化处理工艺，从而有效降低光刻胶图案表面粗糙度，之后，先以光刻胶图案为掩膜刻蚀部分所述硬掩膜层，去除光刻胶图案侧壁底部的光刻胶残留，之后对所述光刻胶图案进行紧致化处理工艺，固化光刻胶图案同时，在光刻胶图案表面形成修饰层，提高所述光刻胶图案侧壁表面的平整度，以提高后续以所述光刻胶图案为掩膜刻蚀所述硬掩膜层后，获得的硬掩膜图案的质量，进而提高后续以硬掩膜图案为掩膜刻蚀所述待刻蚀材料层后，获得的半导体器件的结构精度，从而优化半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层，在所述待刻蚀材料层上形成硬掩膜层，在硬掩膜层上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，形成光刻胶图案；对所述光刻胶图案进行软化处理工艺；以所述光刻胶图案为掩膜部分刻蚀所述硬掩膜层；对所述光刻胶图案进行紧致化处理工艺，在所述光刻胶图案的表面形成修饰层；以所述光刻胶图案为掩膜刻蚀剩余的所述硬掩膜层，形成硬掩膜图案；以所述硬掩膜图案为掩膜刻蚀所述待刻蚀材料层。