[发明专利]原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法有效

专利信息
申请号: 201310621570.8 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN103626510A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 陈善华;张达富;孙刚;邹旋;蒋涛 申请(专利权)人: 成都理工大学
主分类号: C04B35/81 分类号: C04B35/81;C04B35/01;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610059 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法,该方法使用无机镁盐及硼酸为原料,以无机硝酸盐为催化剂,经过球磨混料,然后将混合粉末压制成坯料,采用高温焙烧进行物相转化,洗涤,干燥,制得硼酸镁晶须多孔陶瓷;所述球磨混料工序中,镁盐、硼酸按Mg:B摩尔比为1:0.5-1:3混料,硝酸盐质量含量为混料总含量的1%-10%。与现有的技术相比,本发明保护的原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法一方面解决了现有制备硼酸镁晶须的方法制备的晶须之间的粘连性问题,另一方面解决了多孔陶瓷的制备需要高温烧结的问题。
搜索关键词: 原位 生长 制备 硼酸 镁晶须 多孔 陶瓷 方法
【主权项】:
一种原位生长制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法,其特征在于:该方法使用无机镁盐及硼酸为原料,以无机硝酸盐为催化剂,经过球磨混料,然后将混合粉末压制成坯料,采用高温焙烧进行物相转化,洗涤,干燥,制得硼酸镁晶须多孔陶瓷;所述球磨混料工序中,镁盐、硼酸按Mg : B摩尔比为1 : 0.5 ‑ 1 : 3混料,硝酸盐质量含量为混料总含量的1% ‑ 10%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都理工大学,未经成都理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310621570.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top