[发明专利]一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺

摘要

本发明涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜;步骤B、曝光、显影;步骤C、第一次蚀刻、剥膜；步骤D、耐酸印刷；步骤E、第二次蚀刻、剥膜；步骤F、绝缘印刷；步骤G、覆膜分切。本发明在干膜覆合的基础上，通过第一次蚀刻和第二次蚀刻的方式得到了GF2双面导电薄膜结构的触控模组，该种GF2双面导电薄膜结构的触控模组不仅轻薄,且可以做成窄边框的触摸屏，通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。

主权项

一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作方法，其特征在于：它依次包括以下步骤：步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10‑15um厚的耐酸胶进行保护；步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤D处理后的导电薄膜用蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8‑12um厚的绝缘胶；步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材，其中，步骤C和步骤E中蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为15‑25%，氯化铁溶液的质量浓度为2‑8%；步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为3%‑5%的氢氧化钠溶液；步骤D所述耐酸胶为日本互应的型号为TPER‑194B‑2的耐酸胶。