[发明专利]操作器件晶片和叠层结构的方法和处理叠层结构的装置有效
| 申请号： | 201310624785.5 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103854973A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 党兵;J·U·尼克伯克;C·K-I·曾 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 叶勇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种操作器件晶片和叠层结构的方法和处理叠层结构的装置。提供用于通过使用包含一个或多个可释放层的接合结构暂时使操作器晶片与器件晶片接合的结构和方法，这些可释放层吸收长波长红外辐射以通过红外辐射烧蚀实现晶片脱粘。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 器件 晶片 结构 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种用于操作器件晶片的方法，包括：提供包含器件晶片、操作器晶片和器件晶片与操作器晶片之间的接合结构的叠层结构，其中，接合结构包含粘接剂层和金属薄层，并且，接合结构使器件晶片与操作器晶片相互接合；和用红外能量照射接合结构，以烧蚀接合结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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