[发明专利]存储系统、半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201310625216.2 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104240751B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 金志烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种存储系统、半导体存储器件及其操作方法可以在执行读取操作时基于储存在标志寄存器中的标志数据来执行读取操作，而不读取储存在存储器阵列中的标志数据，使得可以减少读取操作所花费的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 读取操作 标志数据 存储系统 半导体存储器件 储存 读取 半导体器件 标志寄存器 存储器阵列 | ||
【主权项】：
1.一种操作存储系统的方法，所述方法包括以下步骤：将从多个存储块之中的一个存储块读取的标志数据储存在半导体存储器件外部的随机存取存储器中；将从所述随机存取存储器读取的所述标志数据储存在所述半导体存储器件的标志寄存器中；以及基于储存在所述标志寄存器中的所述标志数据、响应于页地址而对选中的页的存储器单元执行读取操作，其中，所述标志数据用于确定用于所述读取操作的读取电压，以及其中，所述一个存储块包括用于所述多个存储块的每个字线的所述标志数据。
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