[发明专利]一种在硅基衬底上制备非极性氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310625564.X | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103643212A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 赵全亮;何广平;狄杰建;袁俊杰;王大伟;苏德志;李中翔 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 | 代理人： | 陈建春 |
| 地址： | 100144 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种在Si基衬底上制备高(110)取向非极性氧化锌薄膜的方法，以Si为衬底，ZnO靶材作为锌源和氧源，Ar为工作气体，O2为反应气体，采用磁控溅射法，通过控制真空度小于8×10-4Pa，生长温度为100～400℃，同时通入一定比例的Ar和O2制备薄膜。该方法包括在Si基衬底上生长(100)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层和在(100)LNO/Si衬底上生长高(110)取向的ZnO薄膜。通过加入LNO缓冲层，可以有效实现高(110)取向非极性ZnO薄膜生长，其光致发光谱中带边发射明显增强，缺陷发光峰明显减弱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 制备 极性 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在Si基衬底上生长非极性ZnO薄膜的方法，其特征在于：步骤（一）：取一Si衬底，经过清洗后，放入反应室中；步骤（二）：生长LaNiO3薄膜，经退火完成结晶作为缓冲层；步骤（三）：利用LaNiO3缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜。
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