[发明专利]N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤沉积阶段，将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至预定沉积温度，并通入硼源、氧气和氮气使其在硅片表面进行沉积；推进扩散阶段，将表面沉积后的硅片升温至预定扩散温度，推进扩散，并在升温和推进扩散的过程中通入氧气和氮气；以及后氧化阶段，将扩散后的硅片降温，并在降温的过程中通入氧气和氮气。该沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度，减小了表面的复合速率和晶格损伤，将方阻标准差(STDEV)控制在2.0左右，改善了硼扩散方阻均匀性，提高了电池转换效率，也降低了硼源耗量，避免了生成过多硼硅玻璃(BGS)，节约了成本。

主权项

一种N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积阶段，将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至预定沉积温度，并通入硼源、氧气和氮气使其在所述硅片表面进行沉积，在所述沉积阶段，所述沉积的温度为890℃～940℃，所述沉积的时间为15～40分钟，所述氮气的流量为22～24slm，所述氧气的流量为30sccm～320sccm，所述硼源的流量为120sccm～1000sccm；推进扩散阶段，停止通入氧气和硼源，继续通入氮气，同时将表面沉积后的所述硅片升温至预定扩散温度，推进扩散，以5～15℃/分钟将表面沉积后的所述硅片升温至950℃～1000℃，恒温扩散20～30分钟；以及后氧化阶段，将扩散后的所述硅片降温，并在所述降温的过程中通入所述氧气和所述氮气，在所述后氧化阶段，所述氧气的流量为10～20slm，所述氮气的流量为5slm～10slm。