[发明专利]晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法有效
申请号: | 201310627425.0 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103633190A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 袁广锋;何广川;陈艳涛;李雪涛 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B31/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法。硼扩散装置包括:炉管,具有第一进气口;以及尾气瓶,与炉管的尾部连通;第一进气口设置在炉管的管壁上,且位于炉管的水平方向中分面以上。通过将进气口设置在炉管的水平方向中分面以上的管壁上,相对于现有技术中将进气口设置在炉管的水平方向中分面上的情况,提高了硼源进气口距离硅片的相对高度,延长了硅片沉积扩散的时间和距离,较好地解决了硼源在扩散过程中因重力太大导致较快地沉积到炉管底部,以至于部分硅片表面扩散方阻均匀性差的问题,避免了过多的硼沉积到炉管底部生成硼硅玻璃(BGS)造成硼源浪费的问题,减少了硼源耗量,从而提高了太阳电池转换效率产率。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 扩散 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于晶体硅太阳能电池的硼扩散装置,包括:炉管(10),具有第一进气口(12);以及尾气瓶(20),与所述炉管(10)的尾部连通;其特征在于,所述第一进气口(12)设置在所述炉管(10)的管壁上,且位于所述炉管(10)的水平方向中分面以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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