[发明专利]集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201310628390.2 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855081A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | C·小凯波勒;S·U·恩格尔曼;B·L·弗莱彻;M·S·戈登;E·A·约瑟夫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路及其制造方法。在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路；以及在一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的间距，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的线路宽度，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在集成电路中制造一条或多条导电线路的方法，该方法包括：对过渡金属层进行构图以形成所述一条或多条导电线路；以及在所述一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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