[发明专利]一种大尺寸图形化衬底芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201310629169.9 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103746046A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛;陶淳;邢志刚;陈耀;李振毅 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其在外延生长N型半导体层前，先采用光刻工艺将衬底表面分割成若干个方格子，而后在分割成的方格子四周用激光划出一定深度的沟道，大尺寸衬底通过这样的处理后，再进行外延层生长时，外延层被彼此相互隔开，都是在独立的方格子上生长，这样就有利于衬底应力的释放，衬底就不会再受到外延层的拉扯应力，从而避免了大尺寸衬底芯片制作过程中，外延生长时翘曲严重问题的发生，进而使外延层衬底受热均匀，芯片的光电性能大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 图形 衬底 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸图形化衬底芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一图形化衬底，在所述衬底上生长缓冲层；2)在所述缓冲层上生长氧化硅薄膜；3)光刻步骤2）得到的衬底，将其表面分割成若干个方格子，并暴露出缓冲层；4)在所述方格子四周的缓冲层内形成沟道；5)对所述形成的沟道进行清洗；6)去除所述方格子表面的氧化硅薄膜；7)在步骤6）得到的衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层及P型半导体层。
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