[发明专利]一种大尺寸图形化衬底的制作方法在审
申请号: | 201310629170.1 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103746055A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 袁根如;郝茂盛;陶淳;邢志刚;陈耀;李振毅 | 申请(专利权)人: | 上海蓝光科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供的一种大尺寸图形化衬底的制作方法,其利用外延生长时选择性的特点,在衬底长外延前,先采用光刻工艺将衬底表面分割成若干个方格子,而后在分割成的方格子四周用激光划出一定深度的沟道,并将方格子边缘的微小图形包去除干净,大尺寸衬底通过这样的处理后,再进行外延层生长时,外延层被彼此相互隔开,都是在独立的方格子上生长,这样衬底就不会再受到外延层的拉扯应力,从而避免了大尺寸衬底外延生长时翘曲严重问题的发生,进而使外延层衬底受热均匀,光电性能大幅提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 图形 衬底 制作方法 | ||
【主权项】:
一种大尺寸图形化衬底的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)提供一衬底,将其制备成表面具有若干个微小图形包的图形化衬底;2)在所述图形化衬底表面生长一层氧化硅薄膜;3)光刻步骤2)得到的衬底,将其表面分割成若干个方格子,并暴露出所述微小图形包;4)在所述方格子四周形成沟道;5)将暴露出的微小图形包腐蚀掉,使方格子四周表面保持平滑;6)去除所述方格子表面的氧化硅薄膜。
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