[发明专利]一种交替供源制备的氮化物单晶薄膜及方法有效
| 申请号： | 201310629287.X | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103695999A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李忠辉;彭大青;张东国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B25/22 | 分类号： | C30B25/22;C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。其制备方法，包括如下工艺步骤：a)单晶衬底放入反应室，高温烘烤；b)在单晶衬底上制备Al浸润层；c)在浸润层上制备氮化铝AlN缓冲层；d)在氮化铝AlN缓冲层上制备氮化物单晶薄膜；e)降至室温，取出。优点：本方法是在交替供源方法制备高晶体质量的氮化铝缓冲层的基础上，结合In气氛保护和Al浸润层，可进一步改善氮化物单晶薄膜的晶体和表面质量，并降低薄膜应力；具有结构简单、工艺可控；表面形貌好；低成本等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交替 制备 氮化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其特征是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。
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