[发明专利]场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法有效
申请号: | 201310629464.4 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103872185A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | K·E·福格尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨丹那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法。一种形成光伏器件的方法,包括:在衬底上对电介质层进行构图,以形成在形状之间具有本地间隔并且在形状组之间具有远程间隔的构图的电介质,以及在所述构图的电介质之上沉积掺杂的外延层,使得在所述外延层的与所述衬底接触的部分中发生选择性的晶体生长并且在所述外延层的与所述构图的电介质接触的部分中发生非晶体生长。在所述构图的电介质的所述本地间隔之上形成第一金属接触,并且在所述远程间隔之上形成第二金属接触。使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分,从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。 | ||
搜索关键词: | 场效应 叉指背 接触 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成光伏器件的方法,包括:在衬底上对电介质层进行构图,以形成在形状之间具有本地间隔并且在形状组之间具有远程间隔的构图的电介质;在所述构图的电介质之上沉积掺杂的外延层,使得在所述外延层的与所述衬底接触的部分中发生选择性的晶体生长并且在所述外延层的与所述构图的电介质接触的部分中发生非晶体生长;在所述构图的电介质的所述本地间隔之上形成第一金属接触;在所述远程间隔之上形成第二金属接触;以及使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分,从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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