[发明专利]双大马士革结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种双大马士革结构的制造方法，其包括半导体结构上形成沟槽；形成沟槽两侧的通孔；以金属掩膜层为掩膜，刻蚀沟槽下的部分低介电常数层，形成圆弧型或斜边型斜面，并打开通孔，形成双大马士革结构；以含有CF4的气体并以高偏置功率对具有圆弧型或斜边型斜面的低介电常数层进行刻蚀，形成Z字型斜面。本发明通过预处理形成具有小尺寸斜面的低介电常数层边缘，随后进一步刻蚀以增大斜面尺寸，最终得到大尺寸斜面，本发明提高了双大马士革结构后续沉积能力，并提高了半导体元器件的可靠性性能。

主权项

一种双大马士革结构的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一半导体结构，其自下而上依次具有阻挡层、低介电常数层、金属掩膜层和顶层；步骤S02，在该半导体结构之上依次涂覆第一抗反射层和第一光刻胶，图案化该第一光刻胶，以形成沟槽图形；步骤S03，依次刻蚀去除该沟槽图形内的第一抗反射层、顶层、金属掩膜层和部分低介电常数层，之后去除该第一光刻胶，形成沟槽；步骤S04，在步骤S03得到的半导体结构之上涂覆第二抗反射层和第二光刻胶，图形化该第二光刻胶，以形成沟槽两侧的通孔图形；步骤S05，依次刻蚀去除该通孔图形内的第二抗反射层、顶层、金属掩膜层和部分低介电常数层，之后去除该第二光刻胶，形成沟槽两侧的通孔；步骤S06，以金属掩膜层为掩膜，刻蚀沟槽下的部分低介电常数层，形成圆弧型或斜边型斜面，并打开通孔，形成双大马士革结构；步骤S07，以含有CF4的气体并以高偏置功率对具有圆弧型或斜边型斜面的低介电常数层进行刻蚀，形成Z字型斜面。