[发明专利]光刻胶的去除方法无效
| 申请号： | 201310630246.2 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103646873A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 高慧慧;秦伟;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶的去除方法，其包括提供一半导体结构，其上具有经离子注入后的光刻胶层；在100℃以下的条件下，用O2和N2/H2通过高射频灰化光刻胶层的表面；在200-500℃的条件下，用O2通过高射频灰化剩下的光刻胶层。本发明先在较低的温度下，去除光刻胶外部硬壳，较低的温度可以防止光刻胶升温过高、内部膨胀造成层多晶硅的倒塌；再在较高的温度下，将剩下的光刻胶去除，较高的温度可以提高光刻胶去除的速度和能力。本发明有效解决了光刻胶去除时造成的层多晶硅倒塌现象，兼具高效和光刻胶无残留的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶的去除方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一半导体结构，其上具有经离子注入后的光刻胶层；步骤S02，在100℃以下的条件下，用O2和N2/H2的混合气体通过高射频灰化光刻胶层的表面；步骤S03，在200‑500℃的条件下，用O2通过高射频灰化剩下的光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
