[发明专利]晶圆缺陷检测方法无效
申请号: | 201310630250.9 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103646889A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;王恺 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陶金龙 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法,包括如下步骤:a)提供两束检测光束;b)以第一光束投射于晶圆第一位置,同时以第二光束投射于晶圆第二位置;c)依据第一位置和第二位置的图像灰度特征,对第一位置和/或第二位置分别进行缺陷检测;d)移动晶圆,以使第一光束和第二光束分别投射至晶圆第三位置和第四位置,以第三、第四位置分别替换第一、第二位置;e)重复执行步骤c)和步骤d),直至全部晶圆区域被检测完成;其中,第一、第二、第三和第四位置分别为晶圆表面互不相同的待检测位置。该方法尤其适用于对大尺寸的晶圆进行缺陷检测,其提高了单位时间内的检测面积,可以大幅度地提高晶圆缺陷检测的效率。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆缺陷检测方法,包括如下步骤:a)、提供两束检测光束,分别为第一光束和第二光束;b)、以所述第一光束投射于晶圆第一位置,同时以所述第二光束投射于晶圆第二位置;c)、依据所述第一位置和第二位置的图像灰度特征,对所述第一位置和/或第二位置分别进行缺陷检测;d)、移动所述晶圆,以使所述第一光束和第二光束分别投射至晶圆第三位置和第四位置,以所述第三、第四位置分别替换所述第一、第二位置;e)、重复执行所述步骤c)和步骤d),直至全部所述晶圆区域被检测完成;其中,所述第一、第二、第三和第四位置分别为所述晶圆表面互不相同的待检测位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310630250.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:PIV流场速度修正方法
- 下一篇:一种铝衬垫制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造