[发明专利]干法工艺稳定性和匹配性的判断方法有效
| 申请号： | 201310630263.6 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103646890A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 荆泉;任昱;吕煜坤;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干法工艺稳定性和匹配性的判断方法，属于集成电路领域。干法工艺稳定性的判断方法包括：通过获取干法工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和初始热氧化膜的厚度差；对干法工艺后的硅光片进行清洗，获取清洗前后热氧化膜的损失率；基于自然氧化膜和热氧化膜的厚度差和清洗前后热氧化膜的损失率，判断干法工艺稳定性和匹配性。本发明中，通过膜厚信息实现了干法工艺稳定性和匹配性的判断。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 稳定性 匹配 判断 方法 | ||
【主权项】：
一种干法工艺稳定性的判断方法，其特征在于，包括：获取干法工艺前后，硅光片表面自然氧化膜和初始热氧化膜的厚度差；对干法工艺后的硅光片进行清洗，获取清洗前后热氧化膜的损失率；根据自然氧化膜和热氧化膜的厚度差和清洗前后热氧化膜的损失率，判断干法工艺稳定性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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