[发明专利]一种监控多晶硅炉管晶圆厚度的方法无效
| 申请号： | 201310630346.5 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681416A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 肖天金;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监控晶圆厚度的方法，通过在晶舟内放置4片监测晶圆来对反应炉内晶舟上放置的晶圆多晶硅生长厚度进行监测，相比较现有技术至少采用6片监控片进行监控减少了1/3的成本，同时在不影响晶圆多晶硅生长的前提下，可在晶舟上放置更多的产品晶圆，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监控 多晶 炉管 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种监控片厚度的方法，其特征在于，包括一反应炉，所述反应炉内有一晶舟，所述晶舟上放置有若干片上下表面相邻的晶圆，形成多个产品晶圆区和多个档片晶圆区，每个所述产品晶圆区皆位于相邻两个档片晶圆区之间；其中，每个产品晶圆区的的顶部、中部和底部各放置有监控片，选取任意一产品晶圆区中部、底部位置处的监控片及顶部下方的监控片以检测该产品晶圆区的各位置处的产品晶圆生长厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
