[发明专利]一种端面金属化陶瓷电真空管及其制备方法

摘要

一种端面金属化陶瓷电真空管及其制备方法。本发明对表面沉积纳米半导体薄膜的陶瓷电真空管的端面之外的其他表面进行精确密封处理，将密封处理后的陶瓷电真空管直接浸入化学镀液中，陶瓷电真空管端面在光源照射下进行氧化还原反应产生初生金属层，然后对陶瓷电真空管端面继续进行化学镀获得一定厚度的金属镀层，取出端面镀覆金属的陶瓷电真空管，洗涤，热处理，去掉表面密封。本发明端面金属化陶瓷电真空管的镀层致密，陶瓷与金属的结合强度高，能满足高真空度等高性能的使用要求；省略了端面金属化陶瓷电真空管传统化学镀制备中的敏化、活化等工序，实现了对镀层的精确控制，工艺流程短、生产成本低、绿色环保，适用范围广、方便灵活，生产效率高，易于大规模制备。

主权项

一种端面金属化陶瓷电真空管的制备方法，其特征在于，对表面沉积纳米半导体薄膜的陶瓷电真空管的端面之外的其他表面采用套塞包裹或石蜡密封进行精确密封处理，确保在光照下只有陶瓷电真空管端面发生金属化，而其他表面无金属出现；将密封处理后的陶瓷电真空管直接浸入化学镀液中，陶瓷电真空管端面对着光源；在波长为200～400nm的光下照射1～10min进行氧化还原反应，使得陶瓷电真空管端面产生初生金属层，反应期间维持镀液pH值为7～13；将完成氧化还原反应的陶瓷电真空管进行化学镀，反应温度30～50℃、反应时间60～240min，实现金属离子的继续还原沉积，在陶瓷电真空管端面获得一定厚度的金属镀层；将端面镀覆金属的陶瓷电真空管取出，洗涤，于温度50～150℃条件下热处理30～60min，去掉表面密封，即可制得端面金属化陶瓷电真空管。