[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310631139.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855224B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 德永肇;肥塚纯一;冈崎健一;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;汤春龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。通过以接触于形成有沟道的氧化物半导体膜的上层及下层的方式形成含有一种以上与构成该氧化物半导体膜的金属元素相同的金属元素的氧化物膜，可以使该氧化物半导体膜的上侧界面与下侧界面不容易生成界面能级。另外，通过作为与氧化物半导体膜接触的氧化物膜使用电子亲和能比氧化物半导体膜的电子亲和能小的材料，流过沟道的电子几乎不会迁移至与氧化物半导体膜接触的氧化物膜中，而主要迁移至氧化物半导体膜中。因此，即使形成于氧化物膜的外侧的绝缘膜与氧化物膜的界面存在能级，该能级也几乎不会对电子的移动造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一电极；所述第一电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的含有镓的氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上并与其接触的第一氧化物膜；所述第一氧化物膜上的第二电极；所述第一氧化物膜上的第三电极；以及在所述第一氧化物膜、所述第二电极及所述第三电极上并与所述第一氧化物膜、所述第二电极及所述第三电极接触的第二氧化物膜，其中，所述第一氧化物膜和所述第二氧化物膜中的每一个包括铟、镓以及锌，其中，所述第二氧化物膜的电子亲和能等于或低于所述第一氧化物膜的电子亲和能，并且其中，所述第二氧化物膜的电子亲和能低于所述氧化物半导体膜的电子亲和能。
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