[发明专利]一种可改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法

摘要

本发明公开了一种太阳电池的双面扩散方法，尤其是一种可改善P型硅太阳电池的电性能的双面扩散方法，其具体步骤包括：硅片非受光面磷吸杂、磷硅玻璃去除、硅片受光面磷扩散形成发射极。本发明通过先在硅片非受光面进行磷吸杂再在硅受光面进行磷扩散制作发射极的双面扩散方法，因两个步骤分开进行，使得磷吸杂工艺不会受到制作发射极工艺的制约，实现磷吸杂的吸杂效果以及对硅片表面的钝化效果达到最佳，不仅可大大提高硅片的少子寿命，而且能提高太阳电池的转换效率。

主权项

一种可改善P型硅太阳电池的电性能双面扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）硅片非受光面磷吸杂：选择两片硅片，将两片硅片的受光面紧贴在一起，放入石英舟的卡槽中，把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中，通过重掺杂磷使硅片的受光面得到充分的磷吸杂和硅片的非受光面的表面钝化；（b）磷硅玻璃去除：把扩散后的硅片从扩散炉管中推出并将硅片卸入花篮中，采用氢氟酸进行清洗；（c）硅片受光面磷扩散形成发射极：将清洗后的两片硅片的非受光面紧贴一起放入石英舟的卡槽中，再把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中，采用轻掺杂磷的扩散工艺制作发射极。