[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310631444.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104064550A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 神吉刚司 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：设置在绝缘膜的沟槽中的铜互连体；沿绝缘膜与铜互连体之间的边界设置在绝缘膜上的金属膜；设置在沟槽的内壁与铜互连体之间并在金属膜上方延伸的阻挡金属；覆盖铜互连体和位于金属膜上方的阻挡金属的第一金属盖件；以及连续地覆盖第一金属盖件、阻挡金属和金属膜的第二金属盖件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在绝缘膜中的沟槽中的铜互连体；沿所述绝缘膜与所述铜互连体之间的边界设置在所述绝缘膜上的金属膜；设置在所述沟槽的内壁与所述铜互连体之间并在所述金属膜上方延伸的阻挡金属；覆盖位于所述金属膜上方的所述阻挡金属和所述铜互连体的第一金属盖件；以及连续地覆盖所述第一金属盖件、所述阻挡金属和所述金属膜的第二金属盖件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310631444.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
