[发明专利]电子束检测晶圆缺陷的方法有效
| 申请号： | 201310631509.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103646898A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子束检测晶圆缺陷的方法，包括如下步骤：检测晶圆各芯片区表层电路与前层电路的over lay值；根据各芯片区对应的over lay值是否大于检测阈值，将晶圆表面划分为检测区与非检测区；其中，检测阈值位于各芯片区对应的over lay值中最大值与最小值之间，检测区至少包括一芯片区；移动晶圆，对检测区中的每一芯片区以电子束扫描仪进行缺陷检测。其显著提升了晶圆缺陷检测的精度与效率，简单易行，便于在行业内推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 检测 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束检测晶圆缺陷的方法，包括如下步骤：a)、检测晶圆各芯片区表层电路与前层电路的over lay值；b)、根据各芯片区对应的over lay值是否大于检测阈值，将所述晶圆表面划分为检测区与非检测区；其中，所述检测阈值位于各芯片区对应的over lay值中最大值与最小值之间，所述检测区至少包括一所述芯片区；c)、移动所述晶圆，对所述检测区中的每一芯片区以电子束扫描仪进行缺陷检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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