[发明专利]一种新的有效降低首片硅片铜小丘缺陷的方法有效
| 申请号： | 201310631819.3 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794534A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;朱玉传;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新的有效降低首片硅片铜小丘缺陷的方法，包括机台和第一硅片，所述机台包括工艺腔室，预热腔室，装载端口，其特征在于，所述方法为：步骤一：机台空闲时，工艺腔室SDC触发，使工艺腔室气氛接近制程；步骤二：工艺腔室SDC的同时，第一硅片停留在装载端口等待传输；步骤三：等待工艺腔室SDC结束，机械手将第一硅片传输至工艺腔室中。通过优化氮化硅薄膜工艺的传片方式：将“第一片硅片传入预热腔室等待工艺腔室SDC结束”，优化为“第一片硅片停留在装载端口里等待工艺腔室SDC结束”，以此减少首片硅片在预热腔室的等待时间，后续重复此类条件跑货，不再出现首片硅片铜hillock缺陷跳高的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 降低 硅片 小丘 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种新的有效降低首片硅片铜小丘缺陷的方法，包括机台和第一硅片，所述机台包括工艺腔室，预热腔室，装载端口，其特征在于，所述方法步骤为：步骤一：机台空闲时，工艺腔室SDC触发，使工艺腔室气氛接近制程；步骤二：工艺腔室SDC的同时，第一硅片停留在装载端口等待传输；步骤三：等待工艺腔室SDC结束，机械手将第一硅片传输至工艺腔室中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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