[发明专利]低缺陷石墨烯-氧化硼纳米晶体复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310632082.7 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103626173A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 侯峰;徐姗姗 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C01B35/10;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 发明公开了一种低缺陷石墨烯-氧化硼纳米晶体复合材料的制备方法：将石墨片或石墨烯片或氧化石墨或其任意比例的混合物与硼酸按照质量比为2∶1～6∶1配料，加入N-甲基吡咯烷酮有机溶剂，使其固体含量为0.1mg/mL～0.8mg/mL，常温条件下进行超声剥离；再将得到的液体进行离心45min，取上层清液；随后将得到的上层清夜再一次进行超声剥离和离心，即制备出低缺陷石墨烯-氧化硼纳米晶体复合材料。本发明条件温和、工艺简单、能耗低，并且制备出了低缺陷石墨烯和氧化硼纳米晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 石墨 氧化 纳米 晶体 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低缺陷石墨烯‑氧化硼纳米晶体复合材料的制备方法，具有如下步骤：（1）将石墨片与硼酸按照质量比为2:1～6:1配料，加入N‑甲基吡咯烷酮有机溶剂，使加入有机溶剂后固体含量为0.1mg/mL～0.8mg/mL；于常温条件下进行超声剥离，超声功率为100W～125W；（2）将步骤（1）得到的液体进行离心45min，离心速率为1000r/min，取上层清液；（3）将步骤（2）得到的上层清液再一次进行超声剥离，超声功率为100W～125W，得到混浊液体；（4）将步骤（3）得到的混浊液体进行45min离心，离心速率为1500r/min，得到含有氧化硼纳米晶体的上层清液。
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