[发明专利]抛光半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201310632384.4 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103846780B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | K·勒特格;A·海尔迈尔;L·米斯图尔;田畑诚;V·杜奇克;T·奥尔布里希 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抛光由半导体材料构成的晶片的方法，其包含使用具有低压缩率的硬抛光垫进行至少一个第一同时双面切削抛光。所述方法适合于所有由半导体材料构成的晶片，而与各个直径无关。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
抛光至少一个具有正面和背面的由半导体材料构成的晶片(5)的方法，其包含至少一个第一抛光步骤，借助于该第一抛光步骤，在各自覆盖有硬度为至少80°肖氏A且压缩率小于2.5％的抛光垫(1)的上抛光板与下抛光板(8)之间，在加工温度下在所述正面和所述背面的两面上同时抛光所述由半导体材料构成的晶片(5)，并且所述抛光垫(1)的与待抛光的所述晶片接触的上表面与下表面(2)之间的距离形成抛光间隙，并且此抛光间隙从所述抛光垫(1)的内边缘(B)延伸直到所述抛光垫(1)的外边缘(A)，其中所述抛光垫以如下方式进行修整：由于抛光垫(1)的工作层的厚度梯度，所述内边缘(B)处所述抛光间隙的高度成线性地不同于所述外边缘(A)处所述抛光间隙的高度，其中所述抛光间隙的高度在所述外边缘(A)处低于所述内边缘(B)处。
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