[发明专利]基板处理方法

摘要

提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10‑1Pa)以下，将晶片W的温度设为‑10℃～‑20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。

主权项

一种基板处理方法，将在处理对象层上层叠有掩模层和中间层的基板收容到处理空间内，该处理空间形成于上部电极与下部电极之间，在该处理空间内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对上述基板实施蚀刻处理，通过上述中间层和上述掩模层在上述处理对象层上形成图案形状，该基板处理方法的特征在于，具有以下步骤：第一步骤，将上述处理空间内的压力设为7mTorr以下、即9.31×10‑1Pa以下，将用于产生上述等离子体的激发功率设为450W～800W，并且对上述上部电极施加‑150～‑600v的直流电压，来对上述掩模层进行蚀刻；以及第二步骤，将上述处理空间内的压力设为7mTorr以下、即9.31×10‑1Pa以下，将上述激发功率设为450W～800W，并且将对上述上部电极施加的直流电压设为0V，来对上述掩模层进行蚀刻，其中，上述处理气体为包含氧气和COS气体的混合气体。