[发明专利]半导体材料、包括其的晶体管和包括晶体管的电子装置有效
| 申请号： | 201310633699.0 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103855194B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 金兑相;金善载;金炫奭;柳明官;朴晙晳;徐锡俊;宣钟白;孙暻锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王占杰,戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 包括 晶体管 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体材料，所述半导体材料包括锌、氟、氧和氮，其中，半导体材料中的氟与氮、氧和氟之和的含量比等于或大于3at％。
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