[发明专利]二极管湿法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310635376.5 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103617952A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 唐冬;刘旸;马洪江;孔明;林洪春;刘昕阳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤：a、腐蚀导电层及阻挡层，形成多个被腐蚀单元；b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层；c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分，使被腐蚀单元的粘附层的边缘从导电层及阻挡层下露出。本发明比现有的湿法刻蚀增加了一步二次腐蚀导电层和阻挡层的步骤。这样使得到粘附层比上面的阻挡层和导电层多露出一个边，有效减少粘附层钻蚀情况的发生。在镜下检查时，根据该边的存在与否来判定底层金属层粘附层是否钻蚀。该边存在，说明未出现钻蚀，该边的存在不会对产品的使用产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
二极管湿法刻蚀方法，其中，包括以下步骤：a、腐蚀导电层及阻挡层，形成多个被腐蚀单元；b、腐蚀多个所述被腐蚀单元间的粘附层；c、腐蚀所述被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分，使所述被腐蚀单元的粘附层的边缘从导电层及阻挡层下露出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所，未经中国电子科技集团公司第四十七研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310635376.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便于定位安装的引线框架
- 下一篇：一种用于现场线缆连接的保险丝连接器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
