[发明专利]采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法无效
| 申请号： | 201310635523.9 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103646858A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘波;冯志红;蔡树军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/40;C30B25/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，涉及以衬底为特征的外延层生长方法技术领域。包括以下步骤：1）在Si衬底上生长SiGeC缓冲层；2）在SiGeC缓冲层上生长GaN层。所述方法在Si衬底上外延生长GaN材料时，能改善GaN材料的应力状态，降低位错密度，提高晶体质量；同时增大GaN材料的生长窗口，使外延生长更容易，进而减低工艺难度，改善器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 sigec 缓冲 si 衬底 生长 gan 方法 | ||
【主权项】：
一种采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，其特征在于包括以下步骤：1）在Si衬底（1）上生长SiGeC缓冲层；2）在SiGeC缓冲层上生长GaN层（3）。
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