[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310635904.7 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103855222B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | A.迈泽;T.施勒泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括晶体管，晶体管形成在具有第一主表面的半导体衬底中。晶体管包括源极区、漏极区、沟道区、漂移区段以及邻近沟道区的栅极电极，栅极电极配置为控制形成在沟道区中的沟道的传导性。沟道区和漂移区段沿第一方向设置在源极区和漏极区之间，第一方向平行于第一主表面。沟道区具有沿第一方向延伸的突脊的形状并且漂移区段包括超级结层堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括形成在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管，所述晶体管包括：源极区；漏极区；沟道区；漂移区段；以及栅极电极，邻近所述沟道区，所述栅极电极配置为控制形成在所述沟道区中的沟道的传导性，所述沟道区和所述漂移区段沿第一方向设置在源极区和漏极区之间，第一方向平行于第一主表面，所述沟道区具有沿第一方向延伸的突脊的形状，以及所述漂移区段包括超级结层堆叠，所述晶体管还包括接触沟槽以提供到源极区的接触，其中所述接触沟槽沿着其整个深度接触所述源极区。
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