[发明专利]一种高比容量多孔硅氧化合物的制备方法有效
| 申请号： | 201310636206.9 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103626187A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 赵成龙;王瑛;宋春华;陈欣 | 申请（专利权）人： | 山东玉皇化工有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;H01M4/36;H01M4/48 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 274000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 发明属于锂离子电池领域，特别涉及一种高比容量多孔硅氧化合物的制备方法。该高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，以一氧化硅为原料，其特征为，将一氧化硅在保护气氛或真空条件下，于900-1200℃下处理8-20h，随炉冷却至室温；将产物置于塑料容器中，加入氢氟酸水溶液腐蚀处理，超声条件下反应；将反应液过滤，用去离子水洗涤，产物真空干燥，得到产品。本发明制备方法简单，只需要通过高温处理和氢氟酸腐蚀两个步骤就可以得到多孔硅氧化合物，高温下一氧化硅部分歧化生成的硅纳米颗粒可以减少体积膨胀效应，超声条件下氢氟酸腐蚀形成深孔的多孔硅氧化合物，便于电解液进入颗粒内部。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 多孔 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，以一氧化硅为原料，其特征为，包括如下步骤：（1）将一氧化硅在保护气氛或真空条件下，于900‑1200℃下处理8‑20h，随炉冷却至室温；（2）将步骤（1）的产物置于塑料容器中，加入氢氟酸水溶液腐蚀处理，超声条件下反应；（3）将步骤（2）的反应液过滤，用去离子水洗涤，产物真空干燥，得到产品。
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