[发明专利]一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路

摘要

发明公开了一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，包括MOSFET管MI、电流采样管MII、电压比较器VC、MOS管M6和电流比较器IC。MOSFET管MI的源极和电源采样管MII的源极与电机电源电压VBB连接，MOSFET管MI的栅极和电源采样管MII的栅极连接在一起，MOSFET管MI的漏极和电源采样管MII的漏极分别与电压比较器VC的两个输入端连接，电压比较器VC的输出端与电流比较器IC的输入端连接，并在电流比较器IC中与基准电流Iref比较，根据比较结果进行电机电流充电模式下的最大峰值输出电流保护。

主权项

一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其特征在于，包括MOSFET管（MI）、电流采样管（MII）、MOS管（M6）、MOSFET管（M3）、MOSFET管（M4）、电流源（Itrip）、电压比较器（VC）和电流比较器（IC）；所述功率MOSFET管（MI）的源极与电机电源电压（VBB）连接，栅极与所述电流采样管（MII）的栅极连接在一起，漏极分别与所述MOSFET管（M3）的漏极、所述电压比较器（VC）的输入端、和所述电流源（Itrip）的输入端连接；所述电流采样管（MII）的源极与所述电机电源电压（VBB）连接，栅极与所述MOSFEN管（MI）的栅极连接，漏极分别与所述MOSFET管（M4）的漏极、所述电压比较器（VC）的输入端和所述MOS管（M6）的漏极连接；所述MOSFET管（M3）的栅极与所述MOSFET管（M4）的栅极连接，源极分别与所述电机电源电压（VBB）和所述MOSFET管（MI）的栅极连接；所述MOSFET管（M4）的漏极分别与所述电源电压（VBB）和所述MOSFET管（MII）连接；所述电压比较器的输出端（IN）分别与所述MOS管（M6）的栅极和所述电流比较器（IC）的输入端连接；所述电流源（Itrip）是所述电机的线圈电流；所述MOS管（M6）的源极直接与地相连；所述电流比较器（IC）的输入端输入基准电流（Iref）。