[发明专利]一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构有效
| 申请号： | 201310637095.3 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103715118A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 冯昌延 | 申请（专利权）人： | 靖江先锋半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 靖江市靖泰专利事务所 32219 | 代理人： | 陆平 |
| 地址： | 214500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构，包括沟槽盖板、盖板主体；在盖板主体上设置有凸台面，凸台面的下方台阶面上设置有冷却液沟槽，并由沟槽盖板覆盖其上。冷却液沟槽设置为环形沟槽，环形沟槽的启始端与未端设置有通孔作为冷却液进出口。沟槽盖板与盖板主体的连接为焊接，表面确保平面度并用120PSIG水压测试1小时不泄漏为合格。本发明使冷却液带走刻蚀过程中产生的热量；密封结构保证真空的工作环境；粗糙的凸台表面主要作用可吸附反射的等离子气体，并使之形成漫反射，对晶圆起保护作用；刻蚀环境有腐蚀性，草酸阳极化能增强铝零件的耐腐蚀性且氧化层有一定的强度。它适用于半导体介质刻蚀机中腔室的密封及冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 介质 刻蚀 盖板 结构 | ||
【主权项】：
一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构，包括沟槽盖板、盖板主体，其特征在于：盖板主体设置有凸台面，凸台面的下方台阶面上设置有冷却液沟槽，并由沟槽盖板覆盖其上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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