[发明专利]半导体结构在审

专利信息
申请号: 201310637235.7 申请日: 2013-12-02
公开(公告)号: CN104681539A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 陈士弘 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/60;H01L27/115
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体结构,包括多个叠层块以及多个导电线。此些叠层块系平行且接续排列,各叠层块由相对的二个指状垂直栅极结构组成。指状垂直栅极结构包括阶梯状结构及多个位线叠层,阶梯状结构与位线叠层垂直,且相对的二个指状垂直栅极结构的位线叠层交错排列。导电线间隔排列于叠层块之上,且延伸方向与位线叠层垂直。导电线包括多条位线及多条接地线,各叠层块上包括至少一条接地线。
搜索关键词: 半导体 结构
【主权项】:
一种半导体结构,包括:多个叠层块(stacking blocks),这些叠层块系平行且接续排列,各该叠层块由相对的二个指状垂直栅极结构组成,各该指状垂直栅极结构包括一阶梯状结构及多个位线叠层,该阶梯状结构与这些位线叠层垂直,相对的该二个指状垂直栅极结构的这些位线叠层交错排列;以及多条导电线,间隔排列于这些叠层块之上,这些导电线的延伸方向与这些位线叠层垂直;其中,这些导电线包括多条位线及多条接地线,各该叠层块上包括至少一条接地线。
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