[发明专利]一种用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法无效
| 申请号： | 201310640467.8 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103643305A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘京明;刘彤;杨俊;董志远;赵有文 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;F27B14/10 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100023 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法，具体为：根据具体需要，预先加工钽坩埚体和钽坩埚盖；对钽坩埚体和钽坩埚盖进行清洗处理处理，去除表面油污及杂质；将钽坩埚体和钽坩埚盖置于封闭的装有高纯石墨粉的石墨坩埚内，钽坩埚体和钽坩埚的内外各表面均匀与石墨粉接触；将石墨坩埚放置于加热炉内，在设定条件下依次进行低温、高温加热处理；取出处理后的钽坩埚体和钽坩埚盖，清洗、烘干后得到表面经过碳化的TaC坩埚。本发明TaC坩埚的制备方法，可用于在高温环境下进行晶体生长过程，通过此方法制备的TaC坩埚成分均匀，有耐高温，抗腐蚀抗氧化等性能，可延长使用寿命，多次利用从而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高温 气相法 晶体生长 tac 坩埚 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法，其特征在于，该制备方法具体为：1）根据具体需要，预先加工钽坩埚体和钽坩埚盖；2)对钽坩埚体和钽坩埚盖进行清洗处理处理，去除表面油污及杂质；3)将钽坩埚体和钽坩埚盖置于封闭的装有高纯石墨粉的石墨坩埚内，钽坩埚体和钽坩埚的内外各表面均匀与石墨粉接触；4)将石墨坩埚放置于加热炉内，在设定条件下依次进行低温、高温加热处理；5)取出处理后的钽坩埚体和钽坩埚盖，清洗、烘干后得到表面经过碳化的TaC坩埚。
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