[发明专利]一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法有效
| 申请号： | 201310642519.5 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103840051A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛;邢志刚;李振毅;陈耀 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1）于生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）采用感应耦合等离子体刻蚀工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且多个SiO2凸起之间保留预设厚度的SiO2底层；4）采用湿法腐蚀工艺腐蚀所述SiO2底层，直至露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。本发明先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1-xN层，作为发光外延结构生长的缓冲层，通过两步刻蚀的方法制备SiO2凸起，可以很好的保护各该SiO2凸起下方的缓冲层。所述缓冲层和SiO2凸起既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 氮化物 生长 衬底 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）采用感应耦合等离子体刻蚀工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且多个SiO2凸起之间保留预设厚度的SiO2底层；4）采用湿法腐蚀工艺腐蚀所述SiO2底层，直至露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。
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