[发明专利]深硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310643211.2 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104671193A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 周娜;蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：首先将涂有光刻胶的硅晶片放入刻蚀设备的腔室中，采用Bosh刻蚀工艺，获得具有陡直深沟槽形貌的硅晶片；然后去除硅晶片表面剩余的光刻胶；最后在所述刻蚀设备的腔室中对硅晶片进行顶部开口刻蚀，获得具有V型顶部形貌的硅晶片。其保证了得到的硅晶片具有顶部V型开口、中部和底部陡直、底部光滑的形貌；且该方法步骤简单，容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：将涂有光刻胶的硅晶片放入刻蚀设备的腔室中，采用Bosh刻蚀工艺，获得具有陡直深沟槽形貌的硅晶片；去除所述具有陡直深沟槽形貌的硅晶片表面剩余的光刻胶；在所述刻蚀设备的腔室中对去除光刻胶的硅晶片进行顶部开口刻蚀，获得具有V型顶部形貌的硅晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310643211.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硫磷联合装置超低温热能高效回收系统
- 下一篇：器件表面的保护方法
