[发明专利]一种纠错SRAM的回写方法有效
| 申请号： | 201310643265.9 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103631669A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘鑫;赵发展;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F11/08 | 分类号： | G06F11/08 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明要解决的技术问题是提供一种纠错SRAM的回写方法。通过冗余校验位产生纠错控制信号，并由该纠错控制信号控制产生回写写入信号以及回写地址信号，确保了地址信号的不变，并及时将存储在n位存储单元的数据写入SRAM，完成回写功能，确保了数据不被损坏且按照原地址进行了回写，保证了原有数据在被读取后不受损坏，并避免了累计错误。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纠错 sram 方法 | ||
【主权项】：
一种纠错SRAM的回写方法，其特征在于，包括以下步骤：将正确字码输出同时存入一个冗余的n位存储单元，并将其地址信号存储在锁存器中；对存入n位存储单元的根据线性分组码的编码理论进行编码，产生冗余校验位；通过冗余校验位产生纠错控制信号；读写信号与纠错控制信号进行异或产生回写写入信号；地址信号与纠错控制信号与产生回写地址信号；根据回写地址信号以及回写写入信号将存储在n位存储单元的数据写入SRAM，完成回写功能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310643265.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可折叠伸缩书立
- 下一篇：大轴重轨道车辆转向架
