[发明专利]防止结构层脱落的MEMS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310643712.0 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104671194A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超;郭亮良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊;俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种防止结构层脱落的MEMS器件及其制备方法，通过依次刻蚀氧化层、金属层至介质层中，以于微机电结构的空乏区域中形成凹槽，于剩余的氧化层及凹槽上方沉积锗化硅材料层作为结构层，该锗化硅材料层的一部分沉积在凹槽中，释放了锗化硅材料层的一部分应力，同时位于氧化层下方的锗化硅材料抵消了位于氧化层上方的锗化硅材料的一部分应力，从而有效的减少了结构层（锗化硅材料层）的应力，进而防止了结构层从MEMS器件上发生脱落的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 结构 脱落 mems 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，提供一具有介质层的衬底结构，并于该介质层的上表面依次制备一金属层和一氧化层，所述衬底结构、所述金属层和所述氧化层形成一微机电结构；S2，依次刻蚀所述氧化层、所述金属层至所述介质层中，以于所述微机电结构的空乏区域中形成凹槽；S3，继续制备一结构层，且该结构层覆盖所述凹槽的底部及其侧壁和剩余的氧化层上表面。
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