[发明专利]一种调控陶瓷电介质微观结构及介电性能的方法

摘要

本发明中，在陶瓷粉体A中加入陶瓷粉体B，陶瓷粉体B的质量与陶瓷粉体A的质量比大于0小于等于0.30，二者混合并超细磨制得均匀的陶瓷粉体C，陶瓷粉体C干燥后过筛，在得到的粉体中加入PVA，经流延成型工艺得到陶瓷生坯，陶瓷生坯排胶后在NH3中或N2和H2组成的混合气体中在1100~1400℃的温度范围内进行烧结，形成陶瓷介质D，在陶瓷介质D表面被覆氧化剂层得到陶瓷介质E，陶瓷介质E置于热等静压烧结炉内，经过热等静压处理后得到陶瓷介质F。借助本发明得到的陶瓷介质F的电介质微观结构及介电性能得到调控，从而使陶瓷电介质的介电性能得到显著的提高，介电常数和电阻率显著提高，介质损耗降低。

主权项

一种调控陶瓷电介质微观结构和介电性能的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一:在由SrTiO3、BaTiO3、CaTiO3、PbTiO3、TiO2等物质中的一种或若干种构成的陶瓷粉体A中加入由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3、La2O3、WO3、Bi2O3、Mn2O5等物质中的一种或若干种构成的陶瓷粉体B，所述陶瓷粉体B的质量与所述陶瓷粉体A的质量比大于0小于等于0.30；步骤二:所述陶瓷粉体A与所述陶瓷粉体B混合，并进行超细磨制得均匀的陶瓷粉体C；步骤三：所述陶瓷粉体C经干燥后过筛，在过筛得到的粉体中加入PVA或PVC，经流延、干压或挤膜等成型工艺得到陶瓷生坯；步骤四：所述陶瓷生坯排胶后在NH3气体中或N2和H2组成的混合气体中在1100～1500℃的温度范围内进行烧结，形成陶瓷介质D；步骤五：在所述陶瓷介质D的表面被覆一层氧化剂层得到陶瓷介质E， 所述氧化剂层由SiO2、B2O3、ZnO、Al2O3、Bi2O3、CuO、CaO、Pb3O4、La2O3、MoO3等一种或若干种物质组成；步骤六:将所述陶瓷介质E放置在热等静压烧结炉内，调整炉内的烧结气压参数和温度参数进行烧结，气压范围为0.2～10MPa，温度范围为600℃～1500℃，经过所述热等静压处理后得到陶瓷介质F。