[发明专利]半导体感测装置有效
申请号: | 201310645879.0 | 申请日: | 2013-12-04 |
公开(公告)号: | CN104701329B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 徐健斌;余文正 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体感测装置。半导体感测装置包括多个像素以及一相位光栅结构(phase grating structure)。相位光栅结构设置于该些像素上,相位光栅结构具有多个周期性排列图案(periodically arranged patterns)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体感测装置,包括:多个像素;平坦层,形成于该些像素上;钝化层,形成于该平坦层上;盖氧化层,形成于该钝化层上;氮化物层,形成于该盖氧化层上;以及保护层,形成于该氮化物层上,该保护层包括堆叠的至少一氧化层及至少一另一氮化物层;其中该半导体感测装置还包括相位光栅结构(phase grating structure),该相位光栅结构设置于该些像素上,该相位光栅结构具有多个周期性排列图案(periodically arranged patterns),该相位光栅结构的高度可调变,以调变该半导体感测装置的外观颜色。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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