[发明专利]半导体感测装置有效

专利信息
申请号: 201310645879.0 申请日: 2013-12-04
公开(公告)号: CN104701329B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 徐健斌;余文正 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种半导体感测装置。半导体感测装置包括多个像素以及一相位光栅结构(phase grating structure)。相位光栅结构设置于该些像素上,相位光栅结构具有多个周期性排列图案(periodically arranged patterns)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体感测装置,包括:多个像素;平坦层,形成于该些像素上;钝化层,形成于该平坦层上;盖氧化层,形成于该钝化层上;氮化物层,形成于该盖氧化层上;以及保护层,形成于该氮化物层上,该保护层包括堆叠的至少一氧化层及至少一另一氮化物层;其中该半导体感测装置还包括相位光栅结构(phase grating structure),该相位光栅结构设置于该些像素上,该相位光栅结构具有多个周期性排列图案(periodically arranged patterns),该相位光栅结构的高度可调变,以调变该半导体感测装置的外观颜色。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310645879.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top