[发明专利]电阻式存储器件和其操作方法有效
| 申请号： | 201310646378.4 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104123960B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 朴海赞;金明燮;李世昊;李承润 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储器件，其包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括耦接于字线与位线之间的单位存储器单元，其中单位存储器单元包括串联耦接的数据储存材料和基于非硅衬底型双向存取器件；路径设定电路，耦接于位线与字线之间，适用于基于路径控制信号、正向写入命令和反向写入命令而向位线或字线提供编程脉冲；以及控制单元，适用于基于外部命令信号而提供写入路径控制信号、正向编程命令和反向编程命令。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 器件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器件，包括：存储器单元阵列，其包括耦接于字线与位线之间的单位存储器单元，其中所述单位存储器单元包括串联耦接的数据储存材料和基于非硅衬底型双向存取器件；路径设定电路，其耦接于所述位线与所述字线之间，适用于基于路径控制信号、正向编程命令以及反向编程命令而向所述位线或所述字线提供编程脉冲；以及控制单元，其适用于基于外部命令信号而提供写入路径控制信号、正向编程命令以及反向编程命令，其中所述正向编程命令和所述反向编程命令是互补信号，所述互补信号基于编程的数量而产生。
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