[发明专利]介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统及其测量方法

摘要

本发明公开了一种介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统及其测量方法，该系统包括：电子枪、桶状收集极、样品托、以及总电源，其中，桶状收集极的顶端开设有圆孔，样品托设置于桶状收集极中，电子枪设置于桶状收集极外侧，样品托、圆孔、以及电子枪发射端均在同一直线上；样品托通过第一电阻与总电源的接地端相连，电子枪与总电源的负极相连；桶状收集极上连接有正负极相反的第一电源和第二电源，第一电源和第二电源的另一端连接有转换开关，转换开关通过第二电阻与总电源的接地端相连接。本发明只需要一把电子枪，一个收集极，就能够对样品的二次电子发射系数进行测试，使得测量周期缩短，效率提高，并且本发明的测量系统结构简单，成本低。

主权项

一种介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统，其特征在于，包括：电子枪（1）、桶状收集极（2）、样品托（3）、以及总电源（4），其中，桶状收集极（2）的顶端开设有圆孔，样品托（3）设置于桶状收集极（2）中，电子枪（1）设置于桶状收集极（2）外侧，样品托（3）、圆孔、以及电子枪（1）发射端均在同一直线上；样品托（3）通过第一电阻（R1）与总电源（4）的正极相连，总电源（4）的正极接地，电子枪（1）与总电源（4）的负极相连；桶状收集极（2）上连接有正负极相反的第一电源（5）和第二电源（6），第一电源（5）和第二电源（6）的另一端连接有转换开关（7），转换开关（7）通过第二电阻（R2）与总电源（4）的正极相连接。