[发明专利]一种浅沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 201310647706.2 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104701235B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽的形成方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面从下往上依次形成有N层膜层，N为正整数；从上至下依次分步刻蚀相应膜层，直至在半导体衬底中形成浅沟槽，其中每步刻蚀前均将晶圆水平旋转预定角度。本发明不断地在下一步刻蚀前旋转晶圆角度，以缓解不同位置的刻蚀量差异，使最终形成的浅沟槽在不同位置的深度一致，保证了半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽 刻蚀 衬底 晶圆 膜层 半导体 半导体衬底表面 半导体器件 从上至下 水平旋转 良品率 正整数 缓解 保证 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面从下往上依次形成有N层膜层，N为正整数；形成具有第一开口的光刻胶层，所述第一开口与后续形成的浅沟槽对应；从上至下依次分步刻蚀相应膜层，直至在半导体衬底中形成浅沟槽，其中每步刻蚀前均将晶圆水平旋转预定角度；其中，每步刻蚀前旋转的预定角度总和等于最大不对称度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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