[发明专利]一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法有效
| 申请号： | 201310648319.0 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103658899A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李明雨;杨明;马鑫;陈宏涛;张志昊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院;亿铖达焊锡制造（昆山）有限公司;深圳市亿铖达工业有限公司;东莞市亿铖达焊锡制造有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/20;B23K35/26;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 刘显扬 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法，包括以下几个步骤：步骤A:采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；步骤B:在所述Cu焊盘上制备的钎料，制成凸台；步骤C:对制备得到的凸台进行热风重熔30s-120s；步骤D:将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；步骤E:将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；步骤F:将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。本发明中的单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构应用于较大尺度的二级封装中的在适当的工艺条件下，可以获得均一稳定的焊点结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单一 取向 cu6sn5 金属 化合物 互连 结构 制备 应用 方法 | ||
【主权项】：
一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：步骤A: 采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；步骤B: 在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；步骤C: 对制备得到的凸台进行热风重熔30s‑120s；步骤D: 将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；步骤E: 将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸酒精中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；步骤F: 将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。
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