[发明专利]一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法

摘要

本发明公开了一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法，通过在釜体配备多段独立控温系统，利用该控温系统调控使釜体内部隔板上下区域形成多等级的温度梯度，驱动内部液体形成高质量单晶体材料生长所需的对流场，调控晶种生长速度与溶质输运速度的动态平衡，抑制多晶孪晶的产生；同时，根据原材料的溶解性及晶体的结晶度，利用多段独立控温系统，在相应的区域设置不同的温度，提高原材料溶解速度和晶体生长速度；更重要的，根据需要灵活调节隔板的位置，使生长区域空间最大化，提高单炉生长的晶体数量。

主权项

一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法，其特征在于：包括釜体、隔板和多段独立控温系统，所述隔板将整个釜体分隔成上下两个具有温差的反应区，即第一反应区和第二反应区，该多段独立控温系统包括由上而下或由下而上设置的多段的独立控温段；并包括如下步骤：A、将原材料及矿化剂放置到第一反应区或者第二反应区，将晶种放置到另一反应区中；如此，放置原材料及矿化剂的第一反应区或者第二反应区作为溶解区，放置晶种的另一反应区作为生长区；B、将隔板调整到任意之一独立控温段的中间，该隔板所处的独立控温段或者该独立控温段与其相邻的多段独立控温段形成过渡区；C、设置各独立控温段的温度值，对第一反应区、过渡区和第二反应区之间的温度进行温差加热。