[发明专利]使用残余气体分析仪的真空室测量有效
申请号: | 201310651452.1 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN103855048B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 杨成隆 | 申请(专利权)人: | 英飞康公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;胡斌 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及使用残余气体分析仪的真空室测量。具体而言,一种用于测量真空工具的客体真空室中的气氛的方法包括:使用残余气体分析仪(RGA)来测量在主体真空室中气氛的第一组成。在测量第一组成期间,主体真空室和客体真空室并不联接。将主体真空室联接到客体真空室,因此在每一个中的气氛可在主体真空室中混合。在联接了室后,使用RGA来测量在主体真空室中的气氛的第二组成。使用处理器,使用测量的第一组成和第二组成来自动确定客体气氛的组成。真空工具可包括主体室和客体室、阀、RGA和处理器,处理器被配置成控制阀以执行这种方法或其它方法。 | ||
搜索关键词: | 使用 残余 气体 分析 真空 测量 | ||
【主权项】:
1.一种测量真空工具的客体真空室中的气氛的方法,所述方法包括:使用残余气体分析仪来测量在所述真空工具的主体真空室中的气氛的第一组成,其中,在测量所述第一组成期间,所述主体真空室和客体真空室不联接;将所述主体真空室联接到所述客体真空室,使得在所述主体真空室中的气氛与所述客体真空室中的气氛混合,以在所述主体真空室中形成混合气氛;在联接了所述室之后,使用所述残余气体分析仪来测量在所述主体真空室中的混合气氛的第二组成;以及使用处理器,使用所述测量的第一组成和第二组成来自动确定在所述客体真空室中的气氛的组成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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