[发明专利]热电半导体温度传感片的单臂结构及制备工艺有效
| 申请号： | 201310652532.9 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103698035A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 崔教林;吴文昌 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;C23C28/02 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙) 33227 | 代理人： | 白洪长 |
| 地址： | 315211 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种热电半导体温度传感片的单臂结构及制备工艺，是针对解决现有同类产品因内部的热应力较大而出现热裂的技术问题。该热电半导体温度传感片的单臂结构包括热电半导体，及位于热电半导体两端的Cu导流片。热电半导体的两端与各自Cu导流片之间设有三个过渡层，分别为喷Ni层、镀Ni层、镀Sn95Ag5层，由热电半导体的端部至Cu导流片表面依次为喷Ni层、镀Ni层、镀Sn95Ag5层。通过设置上述过渡层，起到缓冲作用，减少热电半导体和Cu导流片之间由于热膨胀系数相差大所产生的热应力。这一单臂结构热稳定性好，解决了热电半导体温度传感器中热裂的问题，延长了温度传感器的寿命。适合作为各类热电半导体温度传感片的单臂结构使用。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 半导体 温度 传感 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种热电半导体温度传感片的单臂结构，该单臂结构包括热电半导体，及位于热电半导体两端的Cu导流片（4），其特征在于所述热电半导体的两端与各自Cu导流片（4）之间设有三个过渡层，分别为喷Ni层（1）、镀Ni层（2）、镀Sn95Ag5层（3），由热电半导体的端部至Cu导流片表面依次为喷Ni层、镀Ni层、镀Sn95Ag5层。
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