[发明专利]调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法有效
| 申请号： | 201310654659.4 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103681313A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 于祝鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，包括在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火，以降低集电极反向击穿电压的步骤。通过本发明调整BVCEO，其变化值稳定、波动小，能够对BVCEO进行精确控制。工艺流程简单、适用于大规模量产，相对于现有的控制办法，不需要提供昂贵且效率低的半导体生产及测试设备，对于已经出现的BVCEO与预期的偏差，能够重新进行调整，避免产品报废。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 双极结型 晶体管 集电极 反向 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，包括在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火，以降低集电极反向击穿电压的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
